삼성전자, '갤S8'에 차세대 '10나노 엑시노스' 칩 적용

[양태훈기자] 삼성전자가 차세대 스마트폰 '갤럭시S8'에 10나노미터(nm, 10억분의 1미터) 공정기반의 모바일AP(엑시노스)를 적용한다.

27일 삼성전자는 올해 3분기 실적설명회(IR)에서 "10나노(차세대 엑시노스) 수율은 당초 계획대로 차질없이 진행 중으로, 내년 초 출시하는 플래그십 스마트폰에 사용할 것"이라며, "7나노는 EUV(극자외선 장비)를 사용할 계획으로, 장점을 극대화해 퍼포먼스·파워·스케일링 등 반도체에 필요한 모든 경쟁력을 확보할 것"이라고 말했다.

D램 및 낸드플래시 개발 동향에 대해서는 "1x나노 D램은 3분기 양산을 시작해 램프업(수율향상)이 본격적으로 진행되고 있다"며, "64단 V낸드는 이미 개발을 마무리, 4분기부터 양산을 추진해 내년 상반기에는 본격적으로 램프업할 것"이라고 전했다.

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